2026 ASML杯光刻「芯」势力工程能力挑战赛-初赛

a. DRC （Design Rule Check）与重定标（Retargeting）

b. Sbar （Sub-resolution bar）生成

c. 层次结构分析（Hierarchy analysis）

d. OPC 修正

e. OPC 验证

f. Sbar 清理

20. [6分]【简答题】 在进行 OPC 模型校准调优时，我们通常先校准光学模型部分，然后再进行光刻胶模型（Resist model）校准或光学-光刻胶联合校准。在光学模型校准阶段，有两个候选模型：模型 A 和模型 B。对于所有测量点（Gauges），模型误差（Model CD – Wafer CD）的均方根值（RMS）如下：

· 模型 A 的 RMS 为 6.2 nm

· 模型 B 的 RMS 为 4 nm

各测量点的典型离焦（Through focus）趋势如下图所示:

21. [6分]【简答题】 在 MOPA（主振荡功率放大器）DUV 激光系统中，MOPA 架构通过在两个腔体之间分离功能：主振荡器（MO）负责生成所需的光学特性，包括窄带宽；功率放大器（PA）则在保持这些光学特性的同时，将脉冲能量放大到所需水平。同时脉冲能量的产生与功率放大的时机通过精准的时序控制来完成。这样，系统就可以同时实现严格的带宽要求和高脉冲能量，而不必在单一腔体内被迫做出直接妥协。尝试从 Cymer 的 MOPA 结构角度解释以下问题：

BF :Best Focus

BE :Best Energy

光刻胶反胶示例（理想波形/=BF/=BE）：

*请上传图片作答，上传文件可能会耗费一定时间，请注意答题速度。

23. [7分]【简答题】SI3 处接了一个光电 PNP 传感器，当这个传感器正常工作，图中比较器输出为 0，光刻机可以正常工作，但是这个光电传感器坏了，工程师为了能让光刻机能够正常工作，需要在 SI3 处给多大的电压？ 

图中 VERF_SI_LVL = 0.86V

*请以图片形式上传运算过程及最终答案，上传文件可能会耗费一定时间，请注意答题速度。

24. [8分]【简答题】某 DUV 干式光刻机投影物镜，工作波长 λ=193nm，数值孔径 NA=0.93；实际加工装调后，系统残余初级像散+初级彗差耦合波像差，全局 RMS=λ20′  ,光学理论表明：光刻有效 k1 随波像差增大线性劣化，满足 k1,measure=k1,expect · (1−RMS^λ/₁₀  )。像差不影响焦深理论公式，但有效工艺焦深随成像对比度下降压缩 30%。

图：球面波的光程计算

*请在下列小题对应区域上传运算过程或填写回答，上传文件可能会耗费一定时间，请注意答题速度。

25. [7分]【开放性问题】在 TWINSCAN 系统中，硅片是放置在 wafer table 上的，wafer table 则被放置在 wafer stage 上，在曝光/传片过程中 wafer stage 会进行极高速运动，同时伴随急加速急减速。所以硅片本身的固定，运动中位移，温度控制等等都会直接影响到芯片的 CD, overlay 等关键参数。请尝试设计满足上述要求的 wafer table，必要时请画图说明。

*请在此处上传设计图片与数学证明，上传文件可能会耗费一定时间，请注意答题速度。